扬杰科技全系列功率 MOSFET 采用沟槽 Trench、SGT、Super-Junction 超结自研工艺，产品矩阵覆盖硅基 MOS 与碳化硅 SiC MOS，提供 N 沟道、P 沟道单管及双管合封器件。电压等级完整覆盖 20V/30V/60V/80V/100V/150V/200V/650V/1200V，电流规格从数安培至数百安培。

器件核心优势：低 Rds (on) 导通电阻、优化栅极电荷 Qg，导通损耗与开关损耗均衡；全系列 100% 雪崩 UIS 测试，抗浪涌、抗冲击性能优异。封装包含 SOT‑23、DFN/PDFN 贴片、TO‑252 (DPAK)、TO‑263 (D2PAK)、TO‑220、TO‑247 直插封装，适配小型化贴片及大功率散热设计。

产品分为工业级与车规级：带 “Q” 后缀车规型号满足AEC‑Q101 可靠性标准，最高结温可达 175℃，支持 PPAP 交付；全部器件符合 RoHS、无卤环保规范，环氧材料满足 UL94 V‑0 阻燃等级。扬杰具备 IDM 垂直整合能力，芯片设计、晶圆制造、封装测试自主可控，电气参数、封装引脚高度对标国际主流品牌，降低客户硬件改板成本。

典型应用：同步整流电源、DC‑DC 变换器、PD 快充、BLDC 电机驱动、便携储能、光伏辅助电源、工业伺服、充电桩、车载 BMS、车载照明、48V 轻混系统、车载水泵风扇等电能变换电路。